5G アプリケーション用の 1TB UFS4.0 組み込みフラッシュ ...

UFS (ユニバーサル フラッシュ ストレージ) バージョン 4.0 の組み込みフラッシュ メモリ デバイスのより高い帯域幅により、アプリケーションは 5G の接続の利点を活用できるようになり、ダウンロードの高速化、遅延時間の短縮、およびユーザー エクスペリエンスの向上につながります。

このデバイスは、Kioxia BiCS FLASH 3D フラッシュ メモリとコントローラを JEDEC 標準パッケージに統合しています。 UFS 4.0 には MIPI M-PHY 5.0 および UniPro 2.0 が組み込まれており、レーンあたり最大 23.2 Gbit/s、またはデバイスあたり最大 46.4 Gbit/s の理論上のインターフェイス速度をサポートしますが、UFS 3.1 との下位互換性も備えています。

これにより、シーケンシャル書き込みが 18%、ランダム書き込みが 30%、ランダム読み取りが 13% 増加します。 高速リンク スタートアップ シーケンス (HS-LSS) は、3 ～ 9Mbit/s の低速 PWM-G1 リンクを使用した M-PHY および UniPro 初期化シーケンスではなく、1248Mbit/s の高速 HS-G1 レート A で実行できます。 。 これにより、リンクの起動時間が約 70% 短縮されることが見込まれます。

内蔵フラッシュ チップは、高度な Replay Protected Memory Block (RPMB) を使用して、RPMB 領域のユーザー認証情報などのセキュリティ データへの読み取りおよび書き込みアクセスを高速化し、RPMB パージを使用して破棄されたデータを安全かつ迅速にサニタイズします。

このチップは、ランダム パフォーマンスを向上させるために、UFS 4.0 ホスト コントローラーのマルチ サーキュラー キュー (MCQ) で使用される拡張イニシエーター ID (Ext-IID) もサポートしています。

「新しいUFS 4.0ラインナップの導入により、キオクシアは革新的なUFSテクノロジーの主要サプライヤーとしての地位を再び強化します」とキオクシアヨーロッパのメモリマーケティング＆エンジニアリング副社長のアクセル・シュターマン氏は述べています。

256GB および 512GB THGJFJT2T85BAT0 デバイスのサンプル出荷は今月開始され、10 月以降に 1TB デバイスが続く予定です。

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